В даній роботі запропонований спосіб контрольованого введення рекомбінаційних центрів у кристал силового р -n діода. При пропусканні через кристал імпульсу прямого струму, до 10(4) А/см2, він сильно і неоднорідно розігрівається. В місці максимального градієнту температури у ньому витікають сильні механічні напруги, які створюють різні структурні дефекти. Після закінчення імпульсу струму, через швидке охолодження кристалу, ці дефекти залишаються в ньому і відіграють роль додаткових центрів рекомбінації,зменшуючи час життя.
Ключові слова: час життя, неосновні носії заряду, контроль, вплив, струм.
Controlled method combination centres introduction into of power p -n diode is presented in. At direct current amplitude value up to 10(4)A/cm2 rough the diode the latter is hingly and unhomogeneously. At temperature gradient area the stresses are generated causing differential defects. After the current pulse tedue to the fast crystal cooling, these main there being the additional reach centers, which decrease the lifetime.
Key words: lifetime, influence, current.
