Головна сторiнка
eng
Наукова бібліотека ім. М. Максимовича UNDP in Ukraine
Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.

Подробиці читайте тут.
Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Назад Новий пошук

Опис документа:

Автор: Находкін М.Г., Федорченко М.І.
Назва: Вплив атомів Sb на формування електронних властивостей інтерфейсу Au/Si(l11)
Видавництво: ВПЦ "Київський університет"
Рік:
Сторінок: С. 427-434
Тип документу: Стаття
Головний документ: Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка
Анотація:   За допомогою методів Оже- та фотоелектронної спектроскопій було досліджено формування інтерфейсу Аи з пасивованою моношаром атомів Sb поверхнею Si(111)1x1:Sb в порівнянні з формуванням інтерфейсу Au/Si(111)7x7. Встановлено, що присутність атомів Sb на поверхні Si(111) приводить до значного зменшення хімічної взаємодії та перемішування між атомами Аи та Si, яке має місце при формуванні інтерфейсу Au/Si(111) 7х7.
   Ключові слова: поверхня Si(111)-7х7, Аu, Sb, адсорбція, сурфактант.
   The Au/Sb terminated Si(111)1x1:Sb interface formation in comparison with Au/Si(111)7x7 interface formation were investigated by means of Auger electron spectroscopy and the ultraviolet photoelectron spectroscopy. It has been shown that the presence of Sb atoms on the Si(111)surface resulted in significant reduction of the chemical interaction and mixing between Аu and Si atoms that have taken place on Au/Si(111)7x7 interface.
   Key Words: Si(111)-7x7 surface. Аu, Sb, adsorption, surfactant.
  


З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека
читачів не обслуговує.



Вибачте, зараз проходить оновлення бази системи, тому пошук тимчасово недоступний.
Спробуйте будь ласка через 20 хвилин

Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та
Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка
проект УКР/99/005

© 2000-2010 yawd, irishka, levsha, alex