Досліджено нелінійні ВАХ напівпровідникових поверхнево-барєрних структур методом фізичного диференціювання. Залежність другої похідної струму від прикладеної напруги дозволяє роздільно оцінити вплив потенційного бар"єра та проміжного діелектричного шаруна зміну характеристик структури під дією зовнішніх факторів
Ключові слова: фізичне диференціювання, проміжний шар, потенційний бар"єр.
The research of non-linear volt-ampere characteristics of semiconductor structures by a method of physical derivation is reviewed. The relation of a second derivative from voltage allows separately determining change of a potential barrier and intermediate dielectric layer at effect of an external factor.
Key words: physical derivation, intermediate layer, potentialbarrier.
З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека читачів не обслуговує.
