Запропоновано новий метод формування тонких заряджених діелектричних плівок аерогелю кремнезему на поверхні кремнію. Проведені дослідження складу і зарядового стану таких плівок. Зроблені оцінки товщини і ступеню поруватості синтезованих плівок. Показана можливість застосування таких плівок в напівпровідниковій мікроелектроніці, зокрема для створення сонячних елементів і сенсорів.
Ключові слова: аерогель кремнезему, динамічний конденсатор, структури напівпровідник-діелектрик.
A new technique of formation of thin charged silica aerogel films upon a Si surface is suggested. Degree of porosity of the synthesized films is estimated. Their composition and charge state of the dielectric-semiconductor system are studied. Possibility is shown of using such films in the semiconductor microelectronics, in particular, for creation of sensors and solar cells.
Key Words: silica aerogel, dynamic capacitor method, dielectric-semiconductor structures.