Проаналізовано вплив дефектів на поверхні кремнію на формування силіцидного шару. Розраховано часові залежності температури екзотермічної реакції формування силіциду в області дефекту. Виділення тепла при високій швидкості реакції обумовлює значне підвищення температури в зоні реакції, що призводить до плавлення силіциду і його латерального розростання на поверхні металевої плівки.
Ключові слова: силіцид, дефект, межа розділу.
The influencing of defects surface of silicon on processes of formation silicide layer was investigated. Relation of temperature to time of reaction formation of silicide in the field of a defeсt is determined. The heating at high speed of exothermic reaction causes a melting of silicide and it of lateral increase on surface of metallical film.
Key Words: silicide, defects, interface.