Процес дифузії В-димерів Ge-Ge і Si-Si на поверхні Ge(001) досліджено за допомогою розрахунків з перших принципів. Для В-димерів Ge-Ge і Si-Si знайдено два найбільш імовірні шляхи дифузії. Шлях І відповідає трельованому руху адатомів. Шлях відповідає руху цілого димеру. Отримані енергії бар"єрів для шляхів І та II є практично однаковими. Величини енергетичних бар"єрів для дифузії В-димерів Ge-Ge і Si-Si вздовж димерного ряду на поверхні Ge(001) становлять близько -0,9 еВ та -0,95 еВ, відповідно.
Ключові слова: дифузія, розрахунки з перших принципів.
The diffusion of Ge-Ge and Si-Si ad-dimers on top of the substrate dimer rows of Ge(OOl) have been investigated by using ah initio calculations. Two most favorable paths for the diffusion of Ge-Ge and Si-Si B-dimers on-top of the substrate dimer rows of Ge(OOl) were found. Path I is the correlated motion of adatoms. Path II is the motion of the intact addimer. Obtained energies of the transition state for pathways I, II are practically the same. The energy barriers for the diffusion of Ge-Ge and Si-Si ad-dimers on top of the substrate dimer rows of Ge(OOl) are about -0,9 eV and -0,95 eV, respectively.
Key Words: diffusion, ab initio calculation.
З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека читачів не обслуговує.
