Розглядаються властивості структур наноструктурована плівка SnO2 - кремній з різною товщиною адсорбційно-активного шару. Експериментально отримана немонотонна залежність зміни висоти потенціального бар"єру з наявністю максимуму. Для пояснення залежності, що спостерігається розглядаються механізми проходження струму крізь плівку, що утворює гетероструктуру. Показано, що при ваговій moвщинi плівки 30 нм в ній міститься найбільша кількість пасток.
The properties of the structures nanostructured SnO2 film- silicon for different thickness of adsorption active layer were investigated Nonmonotonic dependence of the potential harrier height was got. For explanation of the noted dependence the mechanisms of the current transport through the adsorption-activelayer was considered. It was shown that at the mass thickness 30 nm of the film SnO; it is contained maximum traps.
