В статті аналізується чисельне моделювання поширеної гетерогенної GaAs/AlGaAs структури. Вивчаються властивості електронного транспорту у цих структурах. Для моделювання неперервна система диференціальних рівнянь зводиться до дискретної системи алгебраїчних рівнянь Для покращення методу алгоритм було адаптовано для високошвидкісного кластера і розподіленою пам"яттю за допомогою описаного метода розпаралелювання.
The article analyzes the numerical simulation of commonly used gated GaAs/AlGaAs heterostruaure. The electron transport properties of these nanoslructitres have been studied. For simulation the continuous system of differential equations are transformedinto a discrete system of algebraic equations. To improve the simulation method the algorithm was adapted for parallel high performance cluster with distributed memory using the described parallelization method.