Спектроеліпсометричні властивості тонких плівок молібдену з перехідним шаром між плівкою і діелектричною підкладкою при збудженні поверхневих поляритонів
Проведені розрахунки спектральних залежностей еліпсометричних параметрів, а саме азимута відновленої лінійної поляризації У [...] і зсуву (раз між р і s компонентами відбитої хвилі [...], для тонких плівок молібдену (Мо), напилених на кварцові (SiO2) тасапфірові (Аl2O3) підкладки з перехідним шаром окису MoO3 на межі поділу металічна плівка - діелектрична підкладка. Цей перехідний шар відповідає за адгезію плівки Мо до підкладки. Розрахунки проводились за формулами Ейрі в конфігурації збудження поверхневих поляритонів за методом Кречмана. Одержані результати показали, що еліпсометричні вимірювання при збудженні поверхневих поляритонів дають можливість досліджувати перехідні шари між плівкою Мо і підкладкою з кварцу чи сапфіру товщиною до 0,1 нм. Крімтого, залежності tgУ [...] від довжини хвилі А[...] дають можливість виявити і дослідити міжзонні переходи в молібдені.
Ключові слова: еліпсометричні досудження, поляритони, азимут відновленої лінійної поляризації У [...], зсув фаз А[...].
Performed spectral dependencies calculations of elipsomelric parameters such us azimuth of recovered linear polarization Y[...] and phase shift between p and s components in reflected wave Л for thin Mo films-sapphin or quarts insulator substrate with transition& coal of МоОз oxide at metal film-insulator substrate interface. This transition responsible for film to substrate adhesion.
Calculations was performed using Eyri"s formulas in configuration with Krechmans method stimulated surface polaritons. It is& shown, that polariton elipsometric methods allows researching transition layers between Mo film and sapphire or quart: substrate with minimum thickness 0,1 mm. Also, dependencies tgV of wavelength A [...] allots discover and research interband trans&itions in molybdenum.
Key Words: elipsometric research, polarilons, an azimuth of recovered linear polarization Y [...], a phase shift A[...].
