Проведено квантово-хімічне моделювання формування поверхневих фаз силіцидів хрому на поверхні кремнію (001). За допомогою Ab initio розрахунків, що базуються на теорії функціонала електронної густини з узагальненим градієнтним наближенням для обмінно-кореляційного потенціалу, досліджувалися найбільш стабільні центри адсорбції атомів Сг на кремнієвій підкладинці. Отримані геометричні структури вкритих субмоношаровими плівками Сг поверхонь Si(OOl).
Ключові слова: Crsi2, Ab initio розрахунки, поверхнева дифузія.
Results of quantum-chemical simulations of silicide formation on chromium covered Si(OOl) surface are presented in the work. The most stable adsorption sites for Cr atoms on the Si(OOl) surface with the (2x1) reconstruction have been investigated by using of Ab initio calculations, based on norm-conserving pseudopotentials and density functional theory. Geometric structures of covered by mono-and submonolayers films of this metal Si(OOl) surfaces were obtained.
Key Words: CrSi2, ab initio calculations, surface diffusion.
