Проведено дослідження температури розігріву напівпровідникового діодного кристала під дією потужного поодинокого імпульсу струму з екстремально великою ударною амплітудою.Отримано залежності розігріву діодного кристала від амплітуди, тривалості та кількості імпульсів ударного струму. Результати пояснено суттєвим збільшенням прямого опору кристала напівпровідникового діода.
The investigation of a crystal diode temperature heated under powerful single current pulse with extrahigh surge amplitude was fulfilled. The dependencesof heating on surge current pulse amplitude, width and quantity were obtained. The results were accounted for significant increase of crystal diode direct resistance.
