Показано, що коректне врахування просторової дисперсії в діелектричних функціях напівпровідника та розмірноквантованій плівці металу, які розділені малим вакуумним проміжком L , призводить до неперервності потенціалу сил зображення Vj0 (x) . Встановлено, що зміна енергетичного спектра електронів при зменшенні товщини d розмірноквантованої плівки металу впливає як на величину потенціального бар"єра всередині вакуумної щілини, так і на залежність потенціалу сил зображення 0
V1 (x) у приповерхневій області напівпровідника, яка є немонотонною функцією d .
In the article it is shown that the correct account of the spatial dispersion effects in dielectric functions of the semiconductor and quantum-size metal film, which are separated by the small vacuum interval of L , provides a continuity of the image potential Vj0 (x) . It is shown that the change of the energy spectrum of electrons at the diminishing of the thickness d of the QS metal film influences both on the distribution of the potential barrier into a vacuum gap and on the distribution of the image potential 0 V1 (x) in the subsurface region of the semiconductor and is a non-monotonic function of d .
