Опис документа:
| |
Шифр: |
А |
Авт. знак: |
148705 |
Автор: | Хозя П.О. |
Назва: | Розробка теплового вузла для вирощування монокристалів Ga As за LEC технологією зі зниженим вмістом структурних дефектів |
Від. щодо назв.: |
Автореф. дис. ... канд. технічних наук. Спец. 05.27.06 - технологія обладнання та виробництво електричної техніки |
Відповідальність: |
Хозя П.О. ; Кременчуцький ун-т економіки, інформаційних технологій і управління |
Місто: | Кременчук |
Рік: | 2009 |
Сторінок: | 20с. |
ББК: |
З843.3 |
Тип документу: |
Автореферат |
Пошук: заповніть хоча б одне з полів
|
|