Методом просвічуючої електронної мікроскопії досліджено вплив температури відпалювання на фасетування спеціальних границь зерен в легованих фосфором полікремнієвих плівках, що отримані методом хімічного осадження з газової фази в реакторі зниженого тиску. Встановлено температурні інтервали існування фасеток, кути між якими дорівнюють 90(градусів) 109 (градусів), 124(градусів) та 140 (градусів). Показано, що фасетування має місце як при нормальному, так і при аномальному рості зерен. Проаналізовано рольдвійникування в процесах фасетування границь зерен.
Influence of annealing temperature on the faceting of special grain boundaries in phosphorusdoped polysilicon films, produced by low-pressure chemical vapor deposition, is investigated by transmission electron microscopy. Temperature intervals of existence of 90 (0), 109 (0), 124(0) and 140 (0) facets are established. It is shown that faceting takes place both for anomalous and normal grain growth. It is detected that is cause of faceting under normalgrain growth in film.Twinning influence on grain boundary faceting was analyzed.
