В роботі методом спектроскопії фотоструму досліджено вплив термічних відпалів SiGe структур з КТ на енергію переходів дірок з локалізованих в КТстанів в делокалізовані стани змочувального шару та Si оточення. Компонентний склад та пружні деформації в структурах оцінено методом спектроскопії КРС. Зменшення енергій переходів на спектрах фотопровідності з відпалом пояснено впливом інтердифузії, що призводить до розмиття гетерограниці та зменшення глибини потенціальної ями КТ.
Effect of thermal annealing of SiGe heteroslructurex with quantum dots on the energy of holes" hound-to-continuum transitions from quantum dot to welling layer and Si surrounding wax investigated by photocurrent speclroscopy. Composition and mechanical stresses of investigated structures were estimated by Raman scattering spectroscopy. The decrease of transition energies in photocurrent spectra with annealing was explained by effect of interdiffusion which causes heteroboundary spreading and decreasing of quantum dot potential well.
