Головна сторiнка
eng
Наукова бібліотека ім. М. Максимовича UNDP in Ukraine
Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.

Подробиці читайте тут.
Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Назад Новий пошук

Опис документа:

Автор: Заболотний М.А., Куліш М.П., Дмитренко О.П., Харкянен В.М., Барабаш Ю.М., Кобус О.С., Стасюк К.В.
Назва: Спектральна залежність фотогенерації в фулеренмістких аморфних молекулярних напівпровідниках
Видавництво: ВПЦ "Київський університет"
Рік:
Сторінок: С. 202-207
Тип документу: Стаття
Головний документ: Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка
Анотація:   В роботі досліджуються залежності квантового виходу фотогенерації носіїв струму в аморфних молекулярних напівпровідниках. В експериментах для вимірювань спектральної чутливості використовуються зразки з тонких шарів карбазолмістких матеріалів отриманих за допомогою поливу толуольних розчинів. Установлено зменшення величини квантового виходу фотогенерації при збільшенні довжини світлової хвилі. Запропонована феноменологічна модель процесу термалізації, що пояснює цю закономірність, яка заснована на припущенні ньютонівського характеру залежності швидкості енергетичних втрат нерівповажним електроном. В рамках моделі встановлено залежності довжини і часу термалізації від частоти збуджуючого світла, температури аморфних молекулярних напівпровідників (АМН) та параметра, що визначає швидкість втрати надлишкової енергії нерівноважним носієм електричного заряду.
   Quantum output of the photogeneration dependences of current transmitters at the amorphous molecular semiconductors are explored in these work. For experimental measurments of the spectral sensitiveness carbazoleconteining materials thin layer samples were prepeared by pouring on of toluol solutions and used. Value reduction of the quantum output of the photogeneration were determined with light &wave length increasing. We offer a phenomenological model of the thermalization process, that could explain this conformity to the law, which is based on the supposition of newtonian character of the speed power losses dependence by a nonequilibrium &electron. Within model frameworks the thermalisation dependences of length and time are set on excitant light frequency, amorphous molecular semiconductors (AMS) temperature and parameter, that determines speed losses of surplus energy by the nonequi&librium electric charge transmitter.



Пошук: заповніть хоча б одне з полів


Шукати серед складових частин документу "Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка"
Розділ:
Назва:
Будь ласка, пишіть 2-3 слова з назви БЕЗ ЗАКІНЧЕНЬ!
Так імовірніше знайти потрібний документ!
слова не коротші ніж 3 символів, розділені пробілами
Автор:
Будь ласка, пишіть прізвище автора без ініціалів!
не коротше ніж 2 символи
є повний текст
Рік видання:
Видавництво:
з     по  
Види документів:
 Книга  Брошура  Конволют (штучно створена збірка)  Рідкісне видання
 Автореферат  Дисертація
 Журнал  Газета
 Стаття  Складова частина документа
Новий тематичний пошук
       
      
        
Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та
Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка
проект УКР/99/005

© 2000-2010 yawd, irishka, levsha, alex