В роботі проведено числове моделювання рекомбінаційного струму для структур з бар"єром Шотткі через шари Ge квантових точок в Si та шари InAs квантових точок в GaAs. Показано, що для реальних значень енергій залягання рівнів квантових точок та інших параметрів просторового їх розміщення у структурах з Ge квантовими точками в Si величина рекомбінаційного струму може на декілька порядків перевищувати надбар"єрний струм при невеликих прямих зміщеннях. В цей же час, рекомбінаційний струм для структур з шарами InAs квантових точок в GaAs може домінувати над надбар"єрним у цих структурах лише за особливих умов досить глибоких рівнів квантових точок.
The numerical modeling of the recombination current for the structures with Schottky barrier through the Ge quantum dots layer in Si and InAs quantum dots layer in GaAs has been done in present paper. It was shown, that the value of recombination current in the structures with Ge quantum dots layer in Si can be essentially bigger on several order then current going over the barrier for the typical parameters of the energetic position levels of Ge quantum dots at relatively small forward bias. At the same time, the recombination current in the structures with InAs quantum dots layer in the GaAs can be domin&ating on the current going over the barrier for this structures at the special conditions with relatively deep energetic position of the level of quantum dots.
