Приведені результати дослідження електромеханічного ефекту (ЕМЕ) при різних температурах в монокристалах n- та p-Si.
Механічні властивості приповерхневих шарів кремнію досліджувались методом мікроіндентування. Виявлено, що електронне збудження кристалів Si приводить до зміни їх твердості і до появи електромеханічного ефекту (ЕМЕ). Показано, що ЕМЕ має приповерхневий характер, а величина ефекту залежить від температури випробувань. В роботі встановлений зв"язок між електромеханічним та електропластичним ефектами та аналізується природа цього зв"язку.
