Досліджуючи вплив наносекундних імпульсів рубінового лазера на морфологію монокристалів GaAs і InSb та застосовуючи методику прямого спостереження плавлення поверхні напівпровідників із попередньо нанесеним мікрорельєфом, були встановлені порогові значення густини енергії Е[верхній індекс InSb, нижній індекс пор] [приблизно дорівнює] 0,14 Дж/кв.см, Е[верхній індекс GaAs, нижній індекс пор] [приблизно дорівнює] 0,21 Дж/кв.см.
