В роботі за допомогою мас-спектрометричної та Оже-спектроскопічної методик показано, що випаровування та формування складу поверхні кристалів GaAs суттєво залежить від стану їх електронної підсистеми. Отримані результати дозволяють вважати, що шляхом зовнішньої дії на електронну підсистему кристала GaAs, зокрема шляхом пропускання через кристал струму, можна керувати випаровуванням компонент і, відповідно, складом і електрофізичними властивостями приповерхневого шару кристала.
