За допомогою скануючої тунельної мікроскопії (СТМ) та ультрафіолетової фотоелектронної спектроскопії (УФС) досліджено коадсорбцію водню та вісмуту на поверхні Si(111)7х7. Показано, що гідрогенізація поверхні Si(111)7х7 змінює механізм росту плівки вісмуту від Странського-Крастанова до Вольмера-Вебера. Встановлено, що розміри острівців вісмуту та електронна структура інтерфейсу залежить від ступеню гідрогенізації поверхні кремнію та послідовності адсорбції вісмуту та водню.