В статті вивчається вплив b-дрейфу на перерозподіл нерівноважних носіїв заряду в кремнієвих діодах з формою, яка змінюється а напрямі протікання струму. Показано, що змінюючи форму напівпровідникового кристалу діода можна формувати температурне поле з таким градієнтом, при якому відбувається ін"єкція або екстракція носіїв заряду в базі діода. Екстракція носіїв призводить до появи термічного градієнтно-дрейфового домена в об"ємі діода.
Дослідження, проведені на кристалах промислового діода КД-209 дозволили рекомендувати таку форму кристала, при якій на заданих технологічних режимах сборки діодів, якість їх буде оптимальною.
