Авторами статті розглянуті особливості методу одночасного визначення фазових і амплітудних розподілів у пучку когерентного випромінення, що пройшло через напівпровідниковий матеріал з метою контролю його оптичної неоднорідності. Запропонована відповіднаметодика дослідження та засоби її реалізації.
The authors of the article are consider the features of method of simultaneous determination of divisions of phases and peaks in the bunch of coherent radiation which got through semiconductor material withthe purpose of control of his optical heterogeneity. The proper method of research and mean of its realization is offered.
