Досліджено вплив адсорбції парів води на ємнісні характеристики в МДН-структурах з проміжним шаром поруватого кре-мнію (ПК) та органічного напівпровідника. Показано, що структури з ПК та органічним шаром демонструють підвищену чутливість до парів води та спирту, порівнюючи з структурами метал - органічний шар - кремній та метал - ПК - кремній. Обговорюється метод визначення параметрів поруватого шару з експериментальних вольт-фарадних характеристик.
The influence of water vapour adsorption on C-V characteristics in MIS-structures with porous silicon (PS) and organic semiconductor interfacial layer was investigated. These structures show the increased response to the presence of water and alcohol vapour in comparison with structures of metal-silicon and metal-PS. The determination of porous layer parameters from experimental C-V characteristics is discussed.
