Modeling of impurity deep level (quantum dot) influence on voltage-capacitance characteristic of metal-semiconductor contact has been carried out. Precise equations for voltage-capacitance dependence of semiconductor structure taking into consideration the presence of impurity deep level in it have been obtained. Theoretical data (for cases of low and high frequencies) have been compared with experimental data. Equations for voltage-capacitance dependence calculation can be used for any semiconductor material.
Проведено моделювання впливу глибокого рівня домішки (квантової точки) на вольт-фарадну характеристи-ку контакту метал-напівпровідник. Отримано точні вирази для вольт-фарадної залежності напівпровідникової структури з ураху-ванням наявності у ній глибокого рівня домішки. Порівняно теоретичні дані (для випадків низьких та високих частот) із експериментальними даними. Співвідношення для обчислення вольт-фарадної залежності можуть бути застосовані для будь-яких напівпровідникових матеріалів.
