Досліджувались температурні залежності внутрішнього тертя та модуля пружності Е (вказівна поверхня пружно-непружного тіла) термоелектричних напівпровідникових кристалів Mn15Si26. Виявлено домінуючій максимум при Тм [приблизно дорівнює] 440 К, який можливо обумовлений перебудовою комплексів точкових структурних дефектів, що ініційована ультразвуковою деформацією.
Temperature dependencies of internal friction and elasticity modules E (indicatory surface of elasticity-unelasticity state) thermo-electricsemiconductor crystals Mn15Si26 were explored. A dominating peak at Тм [is equals approximately] 440 К exhibits. This effect can be explained by the ultrasound induced rearrangement of the complexes of point structural defects.
