Дослідження генерац.-рекомбінац.процесів та електрон.транспорту в напівпр.та напівпр.структурах як основи для створ. елементної бази новітн.засобів комплексн. автоматизації та інформатизації
Від. щодо назв.:
Звіт про НДР (закл.)
Відповідальність:
КНУТШ. Радіофізичний фак.; Керівник НДР О.Третяк
Місто:
Київ
Рік:
2005
Сторінок:
231с.
Тип документу:
Tехнічний документ
Примітки:
Продовження назви: дослідження властивостей інформаційних середовищ і полів та їх практичного застосування; 1 додаток
Анотація:
Об"єкт дослідження: гетероструктури з нанокристалічними напівпровідниками та діелектриками, шаруваті та тонкоплівкові напівпровідникові структури, в тому числі з квантовими ямами і точками, структури для спостереження спін-залежних явищ; органічні напівпровідники.
Мета роботи: створення фізичних основ роботи напівпровідникових приладів для новітніх засобів комплексної автоматизації та інформатизації.
Методи дослідження: метод релаксаційної спектроскопії глибоких рівнів, метод ІЧ-спектроскопії. метод електрично-детектованого магнітного резонансу; метод спектроскопії характеристичних втрат енергії електронів, метод автоматизованого тестування фотоелектричних модулів, метод фізичного диференціювання, метод шумової спектроскопії глибоких рівнів.
В роботі проведені теоретичні та експериментальні дослідження ближньопольових ефектів в нано-композитних системах; в гетероструктурах з квантовими точками. Визначені механізми електронного транспорту двовимірних вільних носіїв заряду в тонких шарах напівпровідників та електронного переносу в напівпровідникових структурах з квантовими точками. Досліджено спін-залежні генераційно-рекомбінаційні процеси в напівпровідниках та напівпровідникових структурах. Проведені дослідження процесів електронного переносу, &електрофізичних та фотоелектричних ефектів в напівпровідникових шаруватих та гетероструктурах. Досліджені властивостей поверхнево-бар"єрних структур з нанокристалічними діелектричними та напівпровідниковими шарами; дослідження впливу зовнішніх фактор&ів на параметри таких структур і використання цих ефектів для сенсорики. Розроблена технологія виготовлення та досліджено вплив електричного та магнітного полів на властивості плівкових структур на основі органічних напівпровідників. Досліджені& властивості
анізотропних феромагнетиків як матеріалів для магнітомеханічних перетворювачів та магнітного запису інформації. Визначено основні закономірності магнон-вихорового розсіяння в двовимірному феромагнетику.
Результати НДР вп&роваджено в навчальний процес радіофізичного факультету Київського національного університету імені Тараса Шевченка
Дотаток А Перелік засобів вимірювальної техніки.
Повний текст:
Для перегляду повного тексту зверніться в бібліотеку.
З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека читачів не обслуговує.
