Исследование фотоэлектрических свойств Р-N-переходов в арсениде галлия.

eng

Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.
Подробиці читайте тут.

Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Опис документа:


Шифр:	А
Авт. знак:	26617
Автор:	Гуткин А.А.
Назва:	Исследование фотоэлектрических свойств Р-N-переходов в арсениде галлия.
Від. щодо назв.:	Автореф... Канд.физ-мат.наук:
Відповідальність:	Гуткин А.А.; АН СССР.
Місто:	Л
Рік:	1964
Сторінок:	9л.
Тип документу:	Автореферат

З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека
читачів не обслуговує.

Вибачте, зараз проходить оновлення бази системи, тому пошук тимчасово недоступний.
Спробуйте будь ласка через 20 хвилин


	Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка проект УКР/99/005

	© 2000-2010 yawd, irishka, levsha, alex