Variation silicon conduction with increased of dislocation under the spinreconanse

eng

Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.
Подробиці читайте тут.

Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Опис документа:


Автор:	Tretyak O.V., Kolomiets I.A., Striha V.I.
Назва:	Variation silicon conduction with increased of dislocation under the spinreconanse
Місто:	Tallin
Рік:	1978
ББК:	В37
Тип документу:	Складова частина документа
Головний документ:	Proc. XX Congress Ampere. №6. - 1977

Для перевірки можливості замовлення цієї складової частини перейдіть на головний документ!

Розділ:

Назва:

Будь ласка, пишіть 2-3 слова з назви БЕЗ ЗАКІНЧЕНЬ!
Так імовірніше знайти потрібний документ!

слова не коротші ніж 3 символів, розділені пробілами

Автор:

Будь ласка, пишіть прізвище автора без ініціалів!

не коротше ніж 2 символи

є повний текст

Рік видання:

Видавництво:

з по

Види документів:

Книга Брошура Конволют (штучно створена збірка) Рідкісне видання

Автореферат Дисертація

Журнал Газета

Стаття Складова частина документа


	Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка проект УКР/99/005

	© 2000-2010 yawd, irishka, levsha, alex