Опис документа:
| |
Автор: | Gorkavenko T.V., Plyushchay I.V., Plyushchay O.I. |
Назва: | Ab Initio Calculation of the Interaction of an Edge Dislocation with Transition Metal Impurity Atoms in Silicon |
Видавництво: | Sumy State University |
Рік: | 2020 |
Сторінок: | Р. 05028-1-05028-4 |
Тип документу: |
Стаття |
Головний документ: |
Journal of nano- and electronic physics |
З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека читачів не обслуговує.
|
|
|
Вибачте, зараз проходить оновлення бази системи, тому пошук тимчасово недоступний.
Спробуйте будь ласка через 20 хвилин
|
|