Головна сторiнка
eng
Наукова бібліотека ім. М. Максимовича UNDP in Ukraine
Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.

Подробиці читайте тут.
Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Назад Новий пошук

Опис документа:

Автор: Горкавенко Т.В., Плющай І.В., Плющай О.І., Макара В.А.
Назва: Ab initio розрахунок взаємодії домішки азоту з крайовою дислокацією в кремнії
Рік:
Сторінок: С. 103-104
Тип документу: Стаття
Головний документ: Київський Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка / Київський, університет імені національний; редкол.: голов. ред. Анісімов А.В. ; Хусаінов Д.Я., Arturs Medvids, Miklos Ronto [та ін.]. - Київ, 2017
Анотація:   Проведено ab initio розрахунок взаємодії крайової дислокації з домішковими атомами азоту в надкомірці з 180 атомів кремнію. Розрахунок проведено методом функціоналу густини в узагальненому градієнтному наближенні. Отримано криву взаємодії домішкових атомів азоту з крайовою дислокацією в кремнії. Встановлено рівноважне положення домішкових атомів поблизу ядра дислокації, обраховані енергії зв"язку домішкових атомів азоту з крайовою дислокацією. Представлені та проаналізовані електронні спектри обраної надкомірки при різних положеннях домішок. Результати розрахункiв проаналiзовано з точки зору можливостi виникнення зонного магнетизму.
   Ab initio calculations of interaction of the edge dislocation with nitrogen impurity atoms in supercell composed of 180Si atoms are presented. The density functional theory in the general gradient approximation has been used for numerical calculation. The interaction curve of nitrogen impurities with the edge dislocation in silicon was obtained. The equilibrium positionsof impurity atoms in the vicinity of the edge dislocation cores are calculated. The binding energy of nitrogen impurity atoms with edge dislocation is 5.05 eV per nitrogen atom, indicating the possibility of formation of impurity atmospheres around d&islocations cores. The electronic spectra of supercell (composed of 180 Si atoms) with dipole of two edge dislocations with nitrogen impurities in different positions are presented and analyzed. In general, the obtained spectra correspond to the spec&tra of pure Si, the main difference is formation narrow impurity peak nearly Fermi level in the case, when nitrogen atom is in the vicinity of the edge dislocation cores. Results of calculations are analyzed in terms of the possible formation of the &band magnetism.
  



Пошук: заповніть хоча б одне з полів


Розділ:
Назва:
Будь ласка, пишіть 2-3 слова з назви БЕЗ ЗАКІНЧЕНЬ!
Так імовірніше знайти потрібний документ!
слова не коротші ніж 3 символів, розділені пробілами
Автор:
Будь ласка, пишіть прізвище автора без ініціалів!
не коротше ніж 2 символи
є повний текст
Рік видання:
Видавництво:
з     по  
Види документів:
 Книга  Брошура  Конволют (штучно створена збірка)  Рідкісне видання
 Автореферат  Дисертація
 Журнал  Газета
 Стаття  Складова частина документа
Новий тематичний пошук
       
      
        
Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та
Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка
проект УКР/99/005

© 2000-2010 yawd, irishka, levsha,