Побудовано теоретичну модель формування фотоелектричного відгуку від p-n переходу при скануванні площини його перерізу двома лазерними променями. Вказані фізичні ефекти, що дають внески у фазу фотовідповідного сигналу. Проведено експериментальні дослідження випромінюючої ділянки лазерних діодів методом диференційно-фазового фотоелектричного відгуку. Отримано експериментальні залежності фази фотовідгуку від координати скануючих променів. Проаналізовано можливості методу диференційно-фазового фотоелектричного відгуку для дослідження напівпровідникових структур з p-n переходом при скануванні переходу в поперечному напрямку.
Theoretical model of how LBIC signal from p-n junction being scanned by two laser beams is formed was proposed. Physical effects which make impact in overall phase of the LBIC signal were pointed out. Experimental research of illuminating surface of laser diode was conducted. Experimental dependencies of the phase of LBIC signal on the coordinate of scanning laser beams were obtained. Possibilities of how differential-phase method can be used to inspect semiconductor surfaces with p-n junctions were analyzed.
