В.Є. Лашкарьов (1903-1973 р.р.) - видатний учений України ХХ століття в галузі фізики напівпровідників та їх прикладних проблем. Основні результати отримані в галузі досліджень поверхні методом дифракції повільних електронів, фотоелектричних властивостей об"єму та поверхні напівпровідників, з вивченням в них термоелектричних ефектів. Використовуючи явище термоелектрорушійної сили на точковому контакті метал-напівпровідник (CuO) відкрив барьєрну структуру р-п перехід і дав фізично правильне пояснення їїунікальних випрямляючих властивостей (публікація в Известиях АН СССР, с.Физ.5 , № 4-5, с. 442-446, 1941 г.). Згодом (1947 р.) саме така структура з двох суміжних точкових контактівзондів з напівпровідником (Gе) була використана для відкриття транзисторного ефекта (1947 р., Бардин, Бреттен, Шріфер , нагороджені за це Нобелівською премією).
V.E. Lashkarev (1903-1973) - famous scientist of Ukraine in semiconductor physics and application of it. The main achievements were obtained on the first researches of the surface by LEED (low-energy electron diffraction), the photoelectric properties of the bulk and surface of semiconductors, study of the semiconductor surface thermoelectric effects. Last , in particular,. lead to discovery of the world level re&sult: observation of the p-n junction on base of hetero structure Cu-Cu2O-CuO (published. in Izv. Acad. Sci.USSR, s.5,№ 4-5, hh.442-446, 1941). Structure with p-n junction till now is the base for electron device industry