Головна сторiнка
eng
Наукова бібліотека ім. М. Максимовича UNDP in Ukraine
Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.

Подробиці читайте тут.
Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Назад Новий пошук

Опис документа:

Автор: Литовченко В.Г.
Назва: Дослідження напівпровідників, що привели до відкриття p-n переходу українськими ученими
Рік:
Сторінок: С. 28-34
Тип документу: Стаття
Головний документ: Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Анотація:   В.Є. Лашкарьов (1903-1973 р.р.) - видатний учений України ХХ століття в галузі фізики напівпровідників та їх прикладних проблем. Основні результати отримані в галузі досліджень поверхні методом дифракції повільних електронів, фотоелектричних властивостей об"єму та поверхні напівпровідників, з вивченням в них термоелектричних ефектів. Використовуючи явище термоелектрорушійної сили на точковому контакті метал-напівпровідник (CuO) відкрив барьєрну структуру р-п перехід і дав фізично правильне пояснення їїунікальних випрямляючих властивостей (публікація в Известиях АН СССР, с.Физ.5 , № 4-5, с. 442-446, 1941 г.). Згодом (1947 р.) саме така структура з двох суміжних точкових контактівзондів з напівпровідником (Gе) була використана для відкриття транзисторного ефекта (1947 р., Бардин, Бреттен, Шріфер , нагороджені за це Нобелівською премією).
   V.E. Lashkarev (1903-1973) - famous scientist of Ukraine in semiconductor physics and application of it. The main achievements were obtained on the first researches of the surface by LEED (low-energy electron diffraction), the photoelectric properties of the bulk and surface of semiconductors, study of the semiconductor surface thermoelectric effects. Last , in particular,. lead to discovery of the world level re&sult: observation of the p-n junction on base of hetero structure Cu-Cu2O-CuO (published. in Izv. Acad. Sci.USSR, s.5,№ 4-5, hh.442-446, 1941). Structure with p-n junction till now is the base for electron device industry



Пошук: заповніть хоча б одне з полів


Шукати серед складових частин документу "Сенсорна електроніка і мікросистемні технології"
Розділ:
Назва:
Будь ласка, пишіть 2-3 слова з назви БЕЗ ЗАКІНЧЕНЬ!
Так імовірніше знайти потрібний документ!
слова не коротші ніж 3 символів, розділені пробілами
Автор:
Будь ласка, пишіть прізвище автора без ініціалів!
не коротше ніж 2 символи
є повний текст
Рік видання:
Видавництво:
з     по  
Види документів:
 Книга  Брошура  Конволют (штучно створена збірка)  Рідкісне видання
 Автореферат  Дисертація
 Журнал  Газета
 Стаття  Складова частина документа
Новий тематичний пошук
       
      
        
Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та
Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка
проект УКР/99/005

© 2000-2010 yawd, irishka, levsha, alex