В роботі одержана система розрахунків просторових розподілів вільних і локалізованих електронів, величини і напрямку приконтактного електричного поля і потенціалу для високоомних напівпровідників n-типу з контактною різницею потенціалів -0,1 В < UC < 0,1 В. Система розрахунку базується на розв"язку системи кінетичних рівнянь, а не на розв"язку одного диференційного рівняння для потенціалу. Для розрахунків використано найпростішу модель напівпровідника у якому є тільки один тип глибоких пасток з концентрацією ?i , які частково заповнені локалізованими електронами з мілких донорів. Індекс " i " означає, що потім можна буде ввести в розрахунки інші мілкі незаповнені центри та більш глибокі заповнені пастки чи центри; напівпровідник перерізом S і довжиноюd ~ 1 см має на кінцях електричні контакти. Вісь ОХ направлена вздовж зразка і перпендикулярна до контактів. Розглянуто випадки, коли концентрації електронів у металі на рівні зони провідності напівпровідника NM відрізняється від концентрації вільних електронів у напівпровіднику N0: NM > N0, NM< N0 та випадок, коли ці концентрації рівні (NM = N0 ). Встановлено, що неспівпадіння концентрацій NM і N0 призводить до появи значного приконтактного електричного поля (сотні В/см), яке експоненційно зменшуєт&ься в напівпровіднику з відстанню від контакту. Встановлено, що зовнішнє електричне поле змінює величину приконтактного поля, причому у випадку його паралельності до приконтактного поля буде відбуватися зменшення UC, а для протилежного напрямку поля &- збільшення UC. При наявності двох однакових електричних контактів ці зміни в приконтактних областях будуть частково компенсуватись для випадку малих полів. В результаті, початкова ділянка ВАХ буде лінійною При великих зовнішніх полях для UC >0 ВАХ &високоомного напівпровідника буде несуттєво відрізнятися від лінійної залежності. А для UC <0 ВАХ стає сублінійною. Тобто, для високоомних напівпровідників з омічними контактами виконується закон Ома.
В роботе получена система расчетов пространствен&ных распределений свободных и локализованных электронов, величины и направления приконтактного электрического поля и потенциала для высокоомных полупроводников n-типа с контактной разницей потенциалов -0,1 В < UC < 0,1 В. Система расчета базируется н&а решении системы кинетических уравнений, а не на решении одного дифференциального уравнения для потенциала. Для расчетов использовано простейшую модель полупроводника в котором есть только один тип глубоких ловушек с концентрацией vi, которые частич&но заполнены локализованными электронами с мелких доноров. Индекс "i" означает, что потом можно будет ввести в расчеты другие мелкие незаполненные центры и более глубокие заполненные лопушки или центры; полупроводник сечением S и длиной d ~ 1 см имее&т на концах электрические контакты. Ось ОХ направлена вдоль образца и перпендикулярна к контактам. Рассмотрены случаи, когда концентрации электронов ву металле на уровне зоны проводимости полупроводника NM отличаются от концентрации свободных электро&нов в полупроводнике N0: NM> N0, NM< N0 и случай, когда эти концентрации равны (NM = N0 ). Установлено, что несовпадение концентраций NM і N0 приводит к появлению значительного приконтактного электрического поля (сотни В/см), которое экспоненциально &уменьшается в полупроводнике с расстоянием от контакта. Установлено, что внешнее электрическое поле изменяет величину приконтактного поля, причом в случае его параллельности к приконтактному полю будет происходить уменьшение UC, а для противоположног&о направления поля - увеличение UC. При наличии двух одинаковых электрических контактов эти изменения в приконтактных областях будут частично компенсироваться для случая малых полей. В результате, начальный участок ВАХ будет линейным. При больших вне&шних полях для UC >0 ВАХ высокоомного полупроводника будет несущественно отличатся от линейной зависимости. А для UC <0 ВАХ становится сублинейной. Т.е., для высокоомных полупроводников с омическими контактами выполняется закон Ома.
The work contain&
