Методами електронної спектроскопії досліджено зміну електронних властивостей поверхні Si(113) при адсорбції на ній атомів Gd. Показано, що адсорбція атомів Gd на атомарно чисту поверхню Si(113)-3x2 при кімнатній температурі приводить до зменшення її роботи виходу від 4.75 еВ для .Gd =0 МШ до ~ 0.8 еВ
для .Gd . 4.4 МШ. При подальшому збільшенні покриття роботавиходу збільшується до ~1.2 еВ для >Gd . 6МШ, що супроводжується металізацією плівки Gd. Отримані результати пояснюються утворенням силіциду гадолініюта особливостями металізації плівки Gd при кімнатній температурі
The electronic properties of the Si(113) surface were investigated during adsorption of Gd atoms on it using electron spectroscopy methods. It is shown, that the adsorption of Gd atoms on atomically clear Si(113)-3x2 surface at room temperature leads to reduction of the surface work function from 4.75 еV for .Gd =0 ML to ~ 0.8 еV for .Gd . 4.4 ML. The
subsequent increase of .Gd results in increasing the work function to ~1.2 еВ for.Gd >6ML and simultaneous metallization of the Gd film. The results have been elucidated by the gadolinium silicide formation and peculiarities the Gd films metallization atroom temperature.
