Дослідження зміни поляризації зарядів на границі феромагнітного Fe з напівпровідниковим Si виконувалось при відсутності або наявності бар"єрного прошарку SiO[нижній індекс 2]. Підтверджена можливість спінової інжекції в Si для створення кремнієвих пристроїв спінтроніки.
Studying of the electric carriers polarization changes on interface of ferromagnetic Fe and semiconducting Si were done in case of ansence or availability of the SiO[lower index 2] sublayer barrier. It was confirmed the possibility of spin injection to Si in order to design the silicon spintronics devices.
З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека читачів не обслуговує.
