Стаття присвячена аналізу досліджень механізмів формування надмолекулярних кластерів різної природи з поцицій концепції кластеризованних гетероструктур з метою створення єдиного підходу до модифікування (надання бажаних властивостей) матеріалів твердотільної електроніки.
Підкреслюється, що у випадку формування кластерів виявляється задіяним значно більше число ступенів свободи у зв"язку з наявністю матричного матеріалу ніж при утворенні молекул
