Проведені прецензійні виміри спектрів пропускання надграток (GaAs)[нижній індекс n] /(AlAs)[нижній індекс n] (n=1; 2; 4), вирощених методом молекулярно-променевої епітаксії, та проаналізована чутливість пропускання до феноменологічних параметрів локалізованих фононів. Отримані результати свідчать про суттєве (майже вдвічі) зростання загасання коливань поперечного оптичного фонона при зменшенні кількості шарів з 4 до 1. Розглядаються можливі фізичні механізми такого зростання та проводиться порівняння зрезультатами інших авторів. Головний висновок роботи полягає в тому, що виявлене зростання загасання ТО-фонона може бути спричинене шорсткостями інтерфейсів, роль яких зростає із зменшенням періоду надгратки.