Наведено результати експериментальних досліджень впливу попередньої іонної імплантації Со[верхній індекс +] в кремній на формування епітаксіальних шарів силіциду кобальту CoSi[нижній індекс 2]. Показано, що попередня імплантація іонів Со[верхній індекс +] сприяє зниженню температури силіцидоутворення і вирівнюванню мікрорельєфу сформованих силіцидних шарів. При термічному відпалі наявність імплантованих іонів Со[верхній індекс +] обумовлює появу в поверхневій області кремнію [дельта]-подібного шару преципітатів, що визначає електрофізичні характеристики контактних структур Co(Co[нижній індекс x]Si[нижній індекс y]) - кремній.
