Адсорбція та обертання димера Вi над димерним рядом на поверхні Si(00l) досліджувались за допомогою розрахунків з перших принципів. Розраховані дві стабільні конфігурації димера Bі А та В типів. Димери Ві В типу є більш енергетично вигідними. Визначено різницю енергій між димерами в А та В конфігураціях, що склала 0.34 еВ. Визначено найвигідніший шлях обертання димера Ві і відповідний енергетичний бар"єр. Досліджено вплив поля вістря СТМ та дефектів на бар"єр обертання димера Ві.
Ключові слова: адсорбція, дифузія, ab initio розрахунки.
Adsorption and rotation of Hi dimers on top of dimer row of Si(001)2x1 surface were investigating using ab initio calculations. Two stable A and В configurations for Bi dimer on top of dimer row were considered. В configuration of Bi dimer is found to be the most stable one while A configuration differs by 0.34 eV from B. Optimal pathway and energy barrier for Bi dimer rotation were found. Also influence of surface defects and STM tip field were considered.
Key Words: adsorption, diffusion, ab initio calculations.
