Представлені результати електрофізичних досліджень процесів переносу двовимірних (2D) вільних електронів в плівках легованого оловом оксиду Індія при температурі рідкого гелію. Досліджені залежності компонент тензору поверхневого опору рik [подано формулу] холлівської рухливості mh [подано формулу], і концентрації Г 2D електронів від індукції магнітного поля В в полях до 1.6 Т. Вперше в таких плівках знайдено аномальну залежність обох компонент магнітоопору від величини В. Отримані результати пояснені на основі теорії квантових поправок до величини провідності. Визначено час релаксації фази хвильової функції rф[подано формулу].
Ключові слова: оксид індію, двовимірний електронний газ, аномальний магнітоопір, час релаксації фази хвильової функції.
Theelectrophysical investigations results of transport processes of two dimensional (2D) free electrons in indium-tin oxide films at the liquid helium temperatures are present. The dependences of surface resistivity tensor components рik [...] Hall mobility mh[...] and concentration Г of 2D electrons upon the magnetic field В were investigated up to the В value of 1,6T. In the first time the anomalous dependence of both magnetoresisttvity components upon the В is found in such films. The results are ex&plained on the base of the theory of the quantum correction factors to the conductivity value The phase relaxation time rф[...] of the wave function was determined.
Key Words: indium-tin oxide, two dimensional electron gas, anomalous magneloresistiv&ity. wave function phase relaxation time.
