За допомогою методу функцій Гріна розроблено зручну методику врахування граничних умов для розрахунку п"єзополів, створюваних пірамідальними квантовими точками InAs, нарощеними на вільній поверхні підкладки GaAs. Знято обмеження на малість висоти цих пірамід, яке застосовувалось для відповідних розрахунків іншими методами. Встановлено, що поверхневе положення спричинює зменшення величини п"єзопотенціалу під основою піраміди.
A convenient technique based on the Green function formalism is developed. Itallows to account for the boundary conditions in the problem of piezoelectric field distributions around the InAs pyramidal dot grown on the surface of GaAs. The restriction of a small pyramid height used in the available techniques is waived in the present work. It is found that the surface location of the dot decreases the magnitude of the piezoelectric potential distribution under the dot compared to that of a buried dot.
