На підставі розв"язку рівняння Пуассона проведено моделювання явища перекомпенсації мілкої донорної домішки зарядом, захопленим у шарах квантових точок, які розташовані в області просторового заряду структури Шотткі. Отримано аналітичні вирази для профілю потенціального бар"єра та диференціальної ємності. Показано, що ефект перекомпенсації просторового заряду може призводити до появи негативної диференціальної ємності та служити причиною появи каналу провідності впродовж межі поділу метал - напівпровідник.
Modeling of donor impurity overcompensation by charge captured in quantum dots layers placed into space charge region of the Shottky structure phenomena on the basis of Poisson equation has been carried out. Analytical equations for potential barrier profile and differential capacitance have been obtained. It was shown that the effect of charge overcompensation can be cause negative differential capacitance and provoke that conductivity channel along the interface metal-semiconductor could appear.
