Надвисоковакуумний скануючий тунельний мікроскоп (НВВ СТМ) використано для дослідження початкових етапів формування інтерфейсу між вісмутом і поверхнею кремнію Si(100), при покриттях [тета з нижнім індексом Ві] менше одного моношару (МШ). Показано, що при кімнатній температурі і початковій кількості вісмута менше 0.15 МШ він адсорбується переважно у вигляді невпорядкованих димерів. Прогрів до температур [приблизно до] 400[градусів]С активізував міграцію димерів на поверхні та їх групування в щільноупаковану фазу 2х1. Одночасно спостерігалась поява значної кількості невпорядкованих дефектів в структурі підкладинки Si(100)-2х1. Після десорбції 0.69 МШ вісмуту, дефекти групувались в структуру вакансійних ліній 2хn.
