Методом термостимульованого струму проведено оцінки енергетичного положення центрів рекомбінації, введених у заборонену зону напівпровідникового діода за рахунок різкого неоднорідного термічного розігріву, створеного протіканням поодиноких коротких потужних імпульсів струму. Оцінено концентрацію створених центрів рекомбінації.
In the article the energy position of the recombination centers were estimated with the method of thermally stimulated current. These centers were introdused in the forbidden band of the semiconductor diode due to the sharp non-homogenious thermal heating by short powerful current pulse flowing. The change of parameters was investigated.
